Sb掺杂SnO2纳米粉体的结晶行为和电学性能

2804

1970-01-01

编号:FTJS00311

篇名:Sb掺杂SnO2纳米粉体的结晶行为和电学性能

作者: 张建荣 顾达等

关键词: Sb 掺杂 SnO2 锑 纳米粉体 结晶行为 电学性能 半导体材料 二氧化锡 非均相成核法

机构: 华东理工大学化学系,上海200237

摘要: 采用非均相成核法制备了Sb掺杂的SnO2(ATO)纳米粉体。研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系。应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能。结果表明,晶粒生长分为2个阶段,其活化能分别为21.94和4.52kJ/mol。

出处: 应用化学.2002,19(6).-552-555

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