编号：NMJS00172

篇名：含Stone-Wales缺陷zigzag型石墨烯纳米带的电学和光学性能研究

作者： 王志勇; 胡慧芳; 顾林; 王巍; 贾金凤;

关键词： 石墨烯纳米带; Stone-Wales缺陷; 电子结构; 光学性能;

机构： 湖南大学物理与微电子科学学院; 桂林理工大学理学院;

摘要： 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理对zigzag型石墨烯纳米带中含有不同Stone-Wales缺陷的电子结构特性和光学性能进行研究.考虑了两种模型:不计电子自旋和考虑电子自旋的情况.研究发现:不计电子自旋情况下,含对称Stone-Wales缺陷的石墨烯纳米带在缺陷区域出现了凹凸不平的折皱构型,两种不同的Stone-Wales缺陷都引起了电荷的重新分布.考虑电子自旋时,Stone-Wales缺陷的引入对石墨烯纳米带自旋密度有显著影响,也引起了不同自旋的电子态密度的变化.进一步研究了纳米带的光学性能,发现引入不同的Stone-Wales缺陷使得吸收和反射谱发生了较大变化,其峰位发生了红移.

原文： 1.引言自从2004年Geim等人发现石墨烯以来[1],由于其独特的电学性能及在器件应用方面的巨大潜力,石墨烯纳米带作为一种新型的碳基纳米材料引起了人们的极大关注[2—9],石墨烯纳米带可以根据边缘裁剪的不同形状来分类,边缘是zigzag型的称为zigzag型石墨烯纳米带,而边缘是armchai