编号：CPJS06961

篇名：石墨烯导电柔性衬底上生长硼掺杂ZnO纳米球及其光电性能的研究

作者： 任帅 容萍 姜立运 李亚鹏 于琦

关键词： 石墨烯 ZnO PET-ITO 硼掺杂 光电器件

机构： 陕西理工大学材料科学与工程学院陕西省催化基础与应用重点实验室石墨烯研究所 陕西理工大学物理与电信工程学院

摘要： 以石墨烯柔性衬底(GPET)为基底,硼酸、六次甲基四胺和六水硝酸锌为掺杂剂,采用低温(95℃)水热法合成硼掺杂石墨烯/氧化锌薄膜复合材料(B-ZnO/GPET)。通过X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),光致发光光谱(PL),伏安特征曲线(I-V)等进行表征,分析B-ZnO/GPET的生长机理,通过改变硼酸的掺杂浓度,研究B-ZnO/GPET的形貌差异。实验结果显示,水热法能够成功的将B元素掺入B-ZnO/GPET的晶格中。硼酸的掺杂浓度决定了B-ZnO/GPET的结晶质量。随着硼酸浓度的增加,ZnO的结晶质量明显改善,并呈现ZnO纳米球状,比表面积增加到了26.4 m~2/g高于纯ZnO的10.32 m~2/g,晶粒尺寸也相应增大。B-ZnO/GPET显著提高了良好循环下的光电性能,在光电器件领域拥有良好的前景。