编号：TCHY00112

篇名：高致密氧化镁陶瓷制备工艺优化

作者： 张骋； 张展鹏； 张荣娟； 黄德信； 徐海芳； 蒋丹宇；

关键词： MgO陶瓷； 致密； 煅烧温度； 烧结助剂； 升温速率；

机构： 上海应用技术学院； 南京工业大学； 中国科学院上海硅酸盐研究所；

摘要： 以高纯工业MgO粉体为原料,经过不同的温度煅烧处理后,添加混合稀土金属氧化物为烧结助剂,并将粉体压制成型后,采用无压烧结方法制备致密的MgO陶瓷。对试样进行XRD测试和断口SEM观察,分析煅烧温度、烧结助剂添加量和升温速率对MgO陶瓷烧结致密化的影响。结果表明:随着煅烧温度的升高,MgO活性降低,不利于烧结;过快的升温速率使MgO晶体在到达烧结温度以前生长缓慢,气孔排出较慢,不利于致密化;添加一定量的混合稀土金属氧化物作为烧结助剂,可以显著降低MgO陶瓷的烧结温度,在1600℃烧结5h即可实现MgO陶瓷的致密化,烧结的陶瓷相对密度可达99%,开气孔率小于0.1%。