垂直有序介孔二氧化硅的离子选择渗透性研究

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2016-01-28

编号:CYYJ01090

篇名:垂直有序介孔二氧化硅的离子选择渗透性研究

作者: 王巧红 ;李婉珍 ;苏彬

关键词: 纳米通道 介孔二氧化硅薄膜 选择渗透性 双电层 离子强度

机构: 浙江大学化学系,浙江杭州310058

摘要: 采用St?ber溶液生长法,在氧化铟锡(ITO)导电基底上合成了孔道高度有序且垂直于基底的介孔二氧化硅薄膜(Mesoporous silica film,MSF),其孔径约为2.3nm.利用循环伏安法探究了MSF孔道对带不同电荷的探针分子的选择渗透性;此外,利用纳米通道的尺寸效应和电荷效应,研究了溶液的离子强度对MSF孔道选择渗透性的影响,设计了具有“开/关”效应的智能响应界面。

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