电子级二氯二氢硅制备技术研究进展

1499

2023-03-29

编号:CYYJ02704

篇名:电子级二氯二氢硅制备技术研究进展

作者: 梁君 刘见华 常欣 袁振军 万烨

关键词: 二氯二氢硅 多晶硅 集成电路 电子气体 前驱体 精馏纯化 吸附络合 歧化反应

机构: 洛阳中硅高科技有限公司 硅基材料制备技术国家工程研究中心 中国恩菲工程技术有限公司

摘要: 电子级二氯二氢硅主要用于先进集成电路芯片制程中应变硅外延生长,氧化硅、氮化硅以及金属硅化物等薄膜沉积生产工艺,具有沉积速度快、沉积薄膜均匀、温度较低等特点,在集成电路制造中应用广泛,但是目前主要依赖进口的问题仍未解决。本文介绍精馏纯化、吸附络合和歧化反应等二氯二氢硅制备方法的原理、应用研究进展,并进行三种方法的对比,归纳未来的主要研究方向,最后对以电子级二氯二氢硅为原料衍生制备的先进硅基前驱体的应用进行展望。

版权与免责声明:

① 凡本网注明"来源:中国粉体网"的所有作品,版权均属于中国粉体网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:中国粉体网"。违者本网将追究相关法律责任。

② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。

③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

文章评论(0)
Copyright©2002-2025 Cnpowder.com.cn Corporation,All Rights Reserved