编号：CYYJ03067

篇名：基于原子层沉积技术的硼化物生长研究进展

作者： 陈鹏宇1；温新涛1；胡之琛1；奚斌2

关键词： 硼掺杂; 氧化硼; 氮化硼; 原子层沉积;

机构： 1.苏州源展材料科技有限公司2.中山大学材料科学与工程学院

摘要： 随着半导体技术的不断进步，以氧化硼和氮化硼为代表的硼化物在多个领域展现出广泛的应用前景，引发了深入的研究。其中，氧化硼独特的掺杂特性使其在优化器件性能和提升集成度方面展现出巨大潜力，因此在超浅硅掺杂中得到了广泛应用，并在先进互补金属氧化物半导体（CMOS）技术中受到越来越多的关注。与此同时，氮化硼在半导体铁电存储掺杂领域的重要性也日益显现。综述了基于原子层沉积（ALD）技术生长氧化硼和氮化硼薄膜的最新研究进展，重点介绍了常用的硼前驱体及共前驱体材料。还对基于硼化物制备的相关薄膜器件的性能进行了分析与总结。基于上述研究进展，探讨了原子层沉积硼化物技术未来的发展方向，为半导体行业的研究与开发提供了有价值的参考。