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2013-09-17
编号：TCHY00189
篇名：C/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头的制备及其连接技术研究
作者： 王浩； 周卿军； 简科； 邵长伟； 朱旖华；
关键词： C/SiC复合材料； 连接； 先驱体转化技术； 模板技术； 有序多孔陶瓷接头；
机构： 国防科学技术大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室；
摘要： 采用st ber法制备出单分散氧化硅小球,并以此为模板,结合先驱体转化技术成功制备出C/SiC复合材料纳米有序多孔陶瓷接头,并对该接头制备工艺条件作了优化。对制备出的C/SiC多孔陶瓷接头分别采用先连后浸法(SJM)和直接浸渍法(DSM)进行了连接。结果显示,两种方法连接的连接件的抗弯强度分别达82.4和20.5 MPa,表明C/SiC多孔陶瓷接头采用SJM连接较好。
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