晶体硅太阳能电池连续流等离子体强化表面掺杂技术的研究

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2021-08-30

编号:NMJS07972

篇名:晶体硅太阳能电池连续流等离子体强化表面掺杂技术的研究

作者: 赵俊霞

关键词: 晶体硅电池 等离子体 表面掺杂

机构: 三江学院

摘要: 针对业界常用的热扩散工艺产生"死层"的现象,提出连续流等离子体强化表面掺杂技术,根据新技术制备的晶体硅太阳能电池片没有富硼层(Boron rich layer)而且Si-SiO2界面具有良好的原子平整度、无晶格缺陷,具有高效、可控、稳定的电池性能(平均转化效率达22%,最高转化效率达23%)。

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