编号：CYYJ03798

篇名：高迁移率二维半导体Bi2O2Se的化学气相沉积生长:可控生长及材料质量

作者： 于梦诗 谭聪伟 高啸寅 唐浚川 彭海琳

关键词： Bi2O2Se 化学气相沉积 成核模式 维度 阵列 电学质量

机构： 北京大学化学与分子工程学院

摘要： 二维（2D）半导体提供的原子厚度有利于优异的栅极场穿透，并使晶体管能够在抑制短沟道效应的情况下保持缩小，从而被认为是后摩尔时代未来晶体管的沟道材料。在高迁移率二维半导体中，具有适中带隙的空气稳定Bi2O2Se引起了人们的广泛关注。与其他二维材料不同，Bi2O2Se可以逐层氧化形成高k本征氧化物电介质Bi2SeO5，具有原子级尖锐的界面，类似于半导体工业中的Si/SiO2。这些特性使Bi2O2Se成为制造各种性能优异的器件的理想材料平台，如晶体管、热电器件、光电器件、传感器、柔性器件和存储器件，以实现先进的应用二维 Bi2O2Se 的制备，有必要开发可规模化、高质量且成本相对较低的制备方法。