金属氧化物半导体一维材料H2S传感器研究进展

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2024-02-02

编号:CYYJ03884

篇名:金属氧化物半导体一维材料H2S传感器研究进展

作者: 李茹茹 王凯怡 密士安 刘雅萍 陈泽 殷锡涛 马晓光

关键词: H2S气体 一维结构纳米材料 金属氧化物半导体 气体传感机制 传感性能

机构: 鲁东大学物理与光电工程学院

摘要: 金属氧化物半导体具有较好的气敏性,基于金属氧化物半导体H2S气体传感特性得到了广泛研究.然而,随着气体检测精细程度的增加,需要设计具有更优性能的纳米材料,来实现气体传感器检测下限和灵敏度的提高.同其他维度纳米材料相比,一维结构纳米材料由于具有良好的结晶度、较大的比表面积和独特的电子输运特性,在H2S气敏性能提升上有明显优势.因此,本文主要以H2S气体为主体,综述了基于金属氧化物半导体不同一维结构纳米材料的特点和一维结构纳米材料H2S气体传感器的研究进展.讨论了金属氧化物半导体基一维结构纳米材料对H2S气体传感的影响和气敏机理.最后,对金属氧化物半导体基一维结构纳米材料H2S气体传感器的性能改进和未来应用前景进行了展望。

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