编号：CYYJ04107

篇名：半导体材料CMP过程中磨料的研究进展

作者： 何潮 牛新环 刘江皓 占妮 邹毅达 董常鑫 李鑫杰

关键词： 化学机械抛光(CMP) 抛光性能 磨料 去除速率 表面质量

机构： 河北工业大学电子信息工程学院 天津市电子材料与器件重点实验室 河北省微电子超精密加工材料与技术协同创新中心 河北省微电子专用材料与器件工程中心

摘要： 对磨料在半导体材料化学机械抛光(CMP)中的应用和研究进展进行了简单阐述,从各代半导体材料制成半导体器件的加工要求介绍了磨料在半导体材料CMP中的重要性,从CMP过程中磨料与半导体材料的相互作用介绍了磨料在半导体材料CMP中的环保性,从磨料的改性和制备介绍了磨料在半导体材料CMP中应用的限制性,重点从半导体材料的去除速率和表面质量介绍了磨料对半导体材料抛光性能的影响,并对国内外研究中单一磨料、混合磨料和复合磨料对半导体材料抛光性能的影响进行了评述,总结了近年来磨料在半导体材料CMP中的研究进展。最后,对磨料在半导体材料CMP中存在的共性问题进行了总结,并对该领域所面临的挑战及发展方向进行了展望。