编号：TCHY00045

篇名：ZnO-B_2O_3对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构和介电性能的影响

作者： 张程; 曾桂林; 郑兴华; 汤德平; 肖娟;

关键词： CaCu3Ti4O12陶瓷; ZnO; B2O3; 巨介电常数; 温度系数;

机构： 福州大学材料学院;

摘要： 采用传统固相反应法,将ZnO-B2O3(ZB)与1 100℃预烧的CaCu3Ti4O12(CCTO)粉末混合烧结成陶瓷。探讨ZB对CCTO陶瓷显微结构和介电性能的影响,并进一步分析CCTO陶瓷的巨介电机理。结果表明:当添加少量ZB(w≤2%,质量分数)时,形成体心立方BCC类钙钛矿结构的CCTO单相;当w>2%时,生成Zn2TiO4杂相;当ZB的添加量为0.5%和10%时,CCTO陶瓷的介电常数明显增大,介电损耗也较高;而当ZB的添加量为1.0%~5.0%时,介电常数的变化很小,同时具有较低的损耗和良好的温度稳定性。其中,w=2%时CCTO基陶瓷具有优异的介电性能(100 kHz),即相对介电常数εr=336,介电损耗tanδ=0.018,介电常数温度系数τε=-1.5×10-5℃-1。ZB掺杂CCTO基陶瓷的阻抗谱表明:CCTO陶瓷由半导体化晶界和相对绝缘的晶粒构成,因此,其具有巨介电常数。

原文： 具有高介电常数、低介电损耗和近零温度系数的介质陶瓷在电容器、谐振器、滤波器及双工器等电子元器件方面具有广泛的应用。正因为如此,CaCu3Ti4O12陶瓷由于具有巨介电常数(ε≈104~105)及良好的频率和温度稳定性[1?5],使其在该领域具有潜在的应用价值。目前,对CCTO巨介电机理