编号：NMJS00935

篇名：半导体纳米线的原位应变研究

作者： 王岩国;

关键词： 原位电子显微镜; 半导体纳米线; 设计; 控制;

机构： 中国科学院物理研究所;

摘要： 利用原位电子显微方法对半导体纳米线进行了原位应变研究,结果表明:在轴向压应力的作用下,ZnSe纳米线可以发生明显的塑性形变,导致纳米线发生大应变。通过在纳米尺度上控制压力探针位移的精度,可实现对纳米线应变的准确控制,进而达到纳米线应变量的可设计性和可控制性。

原文： 1引言作为新一代的功能材料,半导体纳米线具有比表面积大的优点。由于半导体纳米线电导率对表面吸附非常敏感,当外界环境因素改变时会迅速引起表面、界面电子输运情况的变化,显著影响其电阻。利用其电阻的变化可做成各种高性能传感器,其特点是响应速度快、灵敏度高。另外,半导