编号：NMJS01251

篇名：直接氮化法制备氮化铝纳米线

作者： 王稳稳; 程仁志; 胡晓阳; 张迎九; 宋平新; 田永涛; 李新建;

关键词： 氮化铝纳米线; 铝粉; 氯化铵; 直接氮化;

机构： 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室;

摘要： 在氮、氢混合气气流中(氢气10%,体积比),以铝和氯化铵混合粉体为原料,在水平管式炉中采用直接氮化法合成了氮化铝纳米线。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对纳米线的形貌和结构进行了检测与分析;研究了铝和氯化铵的比例(质量比)、反应温度、升温速度等因素对生成物的种类、形貌和氮化铝纳米线产量的影响。研究发现,所获得的AlN纳米线为单晶六方纤锌矿结构,表面不光滑且有非晶层,而AlN纳米线依照Vapor-Solid(VS,气-固)生长机制生长。获得了较为优化的制备氮化铝纳米线的工艺条件,利用VS生长机制和气相过饱和度概念对上述影响氮化铝纳米线生长的条件进行了初步的机理分析。

原文： 1引言氮化铝(AlN)是具有六方纤锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族共价键化合物,能带宽(6.2 eV),热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,是大规模集成电路散热基板和封装的理想材料[1,2]。由于氮化铝的优良性能,氮化铝纳米材料成为纳米材料研究的热点之一。目前有?