气体-溶液-固体法制备铜基Cu(OH)_2纳米带阵列

2141

2011-09-07

编号:NMJS01283

篇名:气体-溶液-固体法制备铜基Cu(OH)_2纳米带阵列

作者: 邱永福; 兰善红; 范洪波; 杨晓西;

关键词: 纳米材料; 半导体; 纳米结构; Cu(OH)2;

机构: 东莞理工学院化学与环境工程学院广东省分布式能源重点实验室;

摘要: 文章报道一种新的Cu(OH)2纳米带阵列合成方法,即气体-溶液-固体法。这种方法主要特点是把铜片置于氨水的液面上,使铜片基板表面有氧气、氨水和铜参与反应,最终在铜片基板上生长出Cu(OH)2纳米带阵列。Cu(OH)2纳米带的尺寸可以通过控制氨水的浓度进行调节,即氨水浓度降低,Cu(OH)2纳米带的尺寸也变小了;而且Cu(OH)2在一定温度下可以脱水转变成为CuO纳米带;最后研究了Cu(OH)2和CuO纳米带阵列的生长机理。

原文: 图2(A)Cu(OH)2和(B)CuO纳米带阵列的SEM照片Fig.2 SEM images of nanoribbon arrays:(A)Cu(OH)2 and(B)CuO A-Cu的标准样品(PDF#04-0836);B-Cu(OH)2的标准样品(PDF#03-0310);C-Cu(OH)2纳米带阵列的样品;D-CuO的标准样品(PDF#03-0884);E-CuO纳米带阵列的样品图3 XRD图谱Fig.3 XR

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