半导体用高纯超细SiC粉体的表面改性

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2012-07-02

编号:FTJS02603

篇名:半导体用高纯超细SiC粉体的表面改性

作者: 李星; 铁生年;

关键词: 超细粉体; 碳化硅; 表面改性; 分散性; 流动性;

机构: 青海大学非金属材料研究所;

摘要: 通过偶联剂预处理、接枝聚合丙烯酸钠两步法对SiC粉体进行表面改性,制备聚丙烯酸钠接枝改性SiC粉体,并对改性粉体进行表征,测试SiC粉体的zeta电位,讨论改性对SiC粉体料浆分散稳定性和流动性的影响。结果表明:SiC微粉经表面改性后并未改变原始SiC微粉的物相结构,只是改变其在水中的胶体性质;微粉团聚现象减少,分散性得到改善;改性SiC微粉与原始SiC微粉相比,表面特性发生很大变化,zeta电位值显著提高,悬浮液的分散稳定性得到明显改善,且黏度降低。

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