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2012-07-18
编号：TCHY00108
篇名：低纯度Si粉催化法反应烧结制备Si_3N_4陶瓷及其性能
作者： 韩涛； 金志浩； 侯击波； 杨万利； 程军；
关键词： Si3N4； 反应烧结； 催化； 氧化；
机构： 中北大学； 西安交通大学；
摘要： 以低纯度的工业级Si粉为原料,通过添加氧化锆,反应烧结制备氮化硅陶瓷材料,加入10%(质量分数)的氧化锆试样在4h的氮化时间内其氮化率相对于没有加入添加剂的试样从43%增加到94%以上,在1000℃,24h的氧化实验下,在氧化锆的试样中发现试样表面存在大量的微裂纹。研究表明,这是由于大量的ZrN聚集在氮化硅晶界,ZrN在氧化气氛下将会转变成ZrO2这将造成晶格转变引起裂纹产生。10%含量的试样表现出良好的抗氧化特性,其抗弯强度也能达到210MPa。
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