807
2012-07-27
编号：TCHY00120
篇名：低介电常数多孔氮化硅陶瓷材料的制备
作者： 吕艳红； 王洪升；
关键词： 介电常数； 多孔陶瓷； 氮化硅；
机构： 山东工业陶瓷研究设计院；
摘要： 采用有机泡沫前躯体浸渍工艺制备了低介电、低密度的氮化硅陶瓷。以氮化硅粉体为主要原料,制备粘度和流动性合适的水基料浆,并以软质聚氨酯泡沫塑料为载体,在真空状态下浸渍,然后在氧化气氛下排塑,在氮气气氛下烧结,得到了低介电常数的多孔氮化硅陶瓷材料。所制备的材料性能可达到:容积密度为0.12g/cm3、介电常数为1.15、介电损耗为4×10-4。通过XRD,SEM研究了试样在热处理过程中的物理、化学变化,烧结体的物相组成及其显微结构。
版权与免责声明：
① 凡本网注明"来源：中国粉体网"的所有作品，版权均属于中国粉体网，未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品，应在授权范围内使用，并注明"来源：中国粉体网"。违者本网将追究相关法律责任。
② 本网凡注明"来源：xxx（非本网）"的作品，均转载自其它媒体，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责，且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用，必须保留本网注明的"稿件来源"，并自负版权等法律责任。
③ 如涉及作品内容、版权等问题，请在作品发表之日起两周内与本网联系，否则视为放弃相关权利。
