1929
2012-08-09
编号：FTJS02798
篇名：微量元素和烧结温度对硅基半导体中微观缺陷的影响
作者： 韩艳玲； 陈玉辉； 韩丽芳； 黄宇阳； 邓文；
关键词： 半导体Si； 掺硼； 掺碳； 微观缺陷； 正电子湮没；
机构： 广西大学物理科学与工程技术学院；
摘要： 测量了不同C或B含量经不同烧结温度制备的Si基半导体、单晶Si、单晶SiO2、石墨和纯多晶B样品的正电子寿命谱和符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱。结果表明,石墨的商谱谱峰最高,SiO2的谱峰次之,B的谱峰最低。随着B,C和O原子序数的增加,与正电子湮没的电子动量增加。含20%的C和含100ppm的B的样品的商谱的谱峰最高;含100ppm的B的样品的谱峰次之;含1ppm的B的样品的谱峰最低。随着烧结温度的升高,含100ppm的B的Si基半导体样品的商谱降低,正电子寿命增长,缺陷开空间和浓度升高。
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