KH-550硅烷偶联剂对半导体制造用碳化硅粉体表面的改性研究

2025

2012-12-03

编号:FTJS03151

篇名:KH-550硅烷偶联剂对半导体制造用碳化硅粉体表面的改性研究

作者: 李星; 铁生年;

关键词: 碳化硅; 表面改性; 硅烷偶联剂; 分散性;

机构: 青海大学非金属材料研究所;

摘要: 采用KH-550硅烷偶联剂对SiC粉体进行改性,研究了影响SiC粉体改性的各种因素,从而确定出改性最佳工艺参数,并对制备的改性粉体进行表征,分析了改性对SiC料浆分散稳定性的影响。结果表明,SiC微粉经偶联剂处理后没有改变原始SiC微粉的物相结构,只是改变了其在水中的胶体性质;微粉团聚现象减少,分散性得到改善;改性SiC微粉与原始SiC微粉相比,表面特性发生很大变化,Zeta电位值显著提高,悬浮液的分散稳定性得到明显改善。

版权与免责声明:

① 凡本网注明"来源:中国粉体网"的所有作品,版权均属于中国粉体网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:中国粉体网"。违者本网将追究相关法律责任。

② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。

③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

文章评论(0)
Copyright©2002-2024 Cnpowder.com.cn Corporation,All Rights Reserved