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2013-09-23
编号：CYYJ00810
篇名：采用石墨电极制备多孔硅工艺研究
作者： 李进； 庞骏敏； 高忙忙； 梁森； 王晓芳； 薛子文
关键词： 石墨电极； 多孔硅； 轮廓均方根偏差； 颗粒平均直径； 电化学方法； 碳原子剥离
机构： 宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室
摘要： 采用石墨电极作为阴极,通过向腐蚀溶液中添加适量65%(质量分数wt%,下同)浓硝酸,以电化学腐蚀法在单晶硅片表面制备出多孔硅微结构。实验表明,随着腐蚀时间的增加,衡量多孔硅表面形貌的粗糙度和颗粒度指标值呈周期性增减变化;在电流密度为10 mA/cm2的阳极腐蚀参数下,将单晶硅片腐蚀1875秒制备的多孔硅样品的粗糙度和颗粒度值相对较大,原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)检测结果表明其硅柱最大高度、颗粒最大直径和平均直径分别达到470 nm、1693.590 nm、489.954 nm。 更多还原
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