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2015-08-27
编号：CYYJ00915
篇名：石墨烯掺杂的研究进展
作者： 张芸秋； 梁勇明； 周建新；
关键词： 石墨烯； 掺杂； 半导体； 带隙；
机构： 纳智能材料器件教育部重点实验室 机械结构力学及控制国家重点实验室 南京航空航天大学航空宇航学院；
摘要： 石墨烯的p型和n型掺杂调控对于石墨烯基功能器件的构筑至关重要.近年来,随着化学气相沉积(CVD)石墨烯技术的发展和广泛应用,CVD石墨烯掺杂技术及相应性能调控的研究也取得了极大进展.本文主要介绍了近几年来石墨烯,特别是CVD生长石墨烯掺杂研究的发展,讨论了金属电极接触、气体小分子吸附、氧化性及还原性极性分子吸附及晶格掺杂等多种石墨烯掺杂的方法,同时介绍了近期出现的对双层石墨烯能带调控以及制造石墨烯p-n结的研究,展望了石墨烯掺杂对于其功能器件研究的作用和发展前景.
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