编号：CYYJ01091

篇名：对弱碱性阻挡层抛光液无BTA和氧化剂的发展机制

作者： 栾晓东 ;刘玉岭 ;牛新环 ;王娟

关键词： 氧化剂 抛光液 阻挡层 BTA 弱碱性 机制 苯并三氮唑 胶体二氧化硅

机构： Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China

摘要： 各种薄膜的可控去除率的选择性（Cu，Ta，SiO2）是在阻挡层CMP有挑战性的工作。H2O2作为氧化剂与苯并三唑（BTA）作为抑制剂被认为是阻挡CME含有过氧化氢的浆料的一种有效方法有一个很短的保质期，因为过氧化氢是不稳定的，容易分解。BTA可导致CMP后的挑战，如有机残留，毒性和粒子粘附。我们一直在没有氧化剂与苯并三氮唑弱碱性阻挡层抛光液的研究。在这些工作的基础上，本文的目的是探讨研究不同成分的影响没有氧化剂与苯并三氮唑阻挡层浆料的发展机制（含胶体二氧化硅，FA/O络合剂，溶液pH值和硝酸胍抛光）对去除率的选择性。可能的相关抛光机制也被提出。