编号：CYYJ01140

篇名：不同沉积温度下单纯蒸镀二氧化硅薄膜的光学特性研究

作者： 罗海瀚[1] ;蔡清元[1] ;李耀鹏[1] ;刘定权[1]

关键词： 薄膜 二氧化硅 光学监控 光学特性 沉积温度

机构： [1]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

摘要： 二氧化硅（SiO2）是一种重要的光学薄膜材料，通常采用电子束蒸发辅以离子束轰击的方式沉积，但在某些情况下，不能借用氧离子束的轰击。着重研究了不同沉积温度下无离子源辅助制备的二氧化硅薄膜的光学特性。通过直接在线的光学监控方式，获得薄膜生长过程的透射率曲线，并得到薄膜在真空中的折射率。采用真空在线光谱扫描和大气中离线的光谱扫描，结合光度法拟合得到薄膜折射率。结果表明由于基片温度的变化，二氧化硅薄膜的折射率会随着薄膜的厚度而改变，随着沉积温度的升高而变大，折射率值在1.34～1.41之间。