编号：CYYJ01161

篇名：基于IBC太阳电池的二氧化硅掩膜研究

作者： 李力[1] ;姜辰明[1] ;黄铭[1] ;沈辉[1]

关键词： IBC太阳电池 二氧化硅掩膜 方阻 少子寿命 ECV

机构： [1]中山大学太阳能系统研究所,广东广州510006

摘要： 在叉指状背接触太阳电池（IBC电池）的制作过程中，一种办法是以二氧化硅作为掩膜阻挡磷扩散进入已经扩硼的区域，在有二氧化硅保护的区域，P^＋区保持不变，在没有二氧化硅保护的地方磷扩散进入形成n^＋背表面场，从而实现在不同区域的不同扩散。该文是研究在不同的的温度下热氧化得到的二氧化硅氧化层的厚度，厚度从0nm到124nm，然后通过测量磷扩散前后方阻变化和ECV图像，研究不同厚度下的二氧化硅掩膜对磷扩散的阻挡作用。同时，还测量了在不同情况下硅片的少子寿命，以确定一个最佳的热氧化二氧化硅工艺，为IBC电池工艺的后续研究提供参考。