纳米级CMOS集成电路的发展状况及辐射效应

2094

2018-08-31

编号:CYYJ01677

篇名:纳米级CMOS集成电路的发展状况及辐射效应

作者: 刘忠立[1,2] ;

关键词: 纳米级互补金属氧化物半导体集成电路 器件沟长 辐射效应

机构: [1]中国科学院微电子研究所,北京100029; [2]中国科学院半导体研究所,北京100083;

摘要: 介绍互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展历程及纳米级CMOS集成电路的关键技术,在此基础上研究了纳米级CMOS集成电路的辐射效应及辐射加固现状.研究结果表明,纳米级FDSOICMOS集成电路无需特殊的加固措施,却比相同技术代的体硅CMOS集成电路有好得多的辐射加固能力,特别适用于空间应用环境.

版权与免责声明:

① 凡本网注明"来源:中国粉体网"的所有作品,版权均属于中国粉体网,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用。已获本网授权的作品,应在授权范围内使用,并注明"来源:中国粉体网"。违者本网将追究相关法律责任。

② 本网凡注明"来源:xxx(非本网)"的作品,均转载自其它媒体,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责,且不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、网站或个人从本网下载使用,必须保留本网注明的"稿件来源",并自负版权等法律责任。

③ 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起两周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。

文章评论(0)
Copyright©2002-2026 Cnpowder.com.cn Corporation,All Rights Reserved