编号：CYYJ02116

篇名：全范围掺杂调制强黄色发光Gd0.5–yTb1.5REyW3O12(RE=Eu,Sm)荧光粉的研究

作者： 代艳南 杨帅 沈阳 单永奎 杨帆 赵庆彪

关键词： 固相合成 荧光 钨酸盐 稀土 内量子效率

机构： 华东师范大学化学与分子工程学院 华东师范大学光信息科学与工程系

摘要： 黄光荧光材料在近紫外(NUV)芯片激发的白光发光二极管(W-LED)的制造中起重要作用。在本研究中,通过在Gd2W3O12基质中共掺Tb^3+/Eu^3+或Tb^3+/Sm^3+,从而获得较强的黄光发射。由于Gd^3+的有效激发通常在深紫外区,在Gd2W3O12中并不会被382 nm的紫外光激发,因此Gd^3+对Tb^3+/Eu^3+、Tb^3+/Sm^3+共掺杂的黄光发射并无影响。而Tb^3+与Gd^3+具有相似的离子半径, Tb3+在全浓度范围内可以对Gd^3+进行取代。当Tb^3+离子掺杂浓度为75mol%时,该体系绿光的发射强度达到最强,对应的内量子产率(IQE)为37.6%。在最佳Tb^3+掺杂浓度下,通过引入可以被近紫外光有效激发的Eu^3+或Sm^3+,在Gd32W3O12基质中实现Tb^3+/Eu^3+或Tb^3+/Sm^3+共同掺杂,得到了高亮度的黄色发光,IQE分别达到39.6%和47.8%。利用制备的Gd0.494Tb1.5Eu0.006W3O12和Gd0.494Tb1.5Sm0.006W3O12黄光荧光粉与NUV-蓝色芯片成功组装了W-LED器件。由此可见, Gd0.5-yTb1.5REyW3O12 (RE=Eu, Sm)荧光粉有望用于组装W-LED器件。此外,全范围掺杂法可用于其他体系以获得高效的荧光粉。