BAs晶体生长研究进展

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2021-06-08

编号:CYYJ02296

篇名:BAs晶体生长研究进展

作者: 刘京明 赵有文

关键词: 砷化硼 热导率 化合物半导体 晶体生长 化学气相传输

机构: 中国科学院半导体研究所

摘要: 立方砷化硼(BAs)为间接带隙、闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。理论分析预测BAs具有仅次于金刚石的超高热导率,在电子器件散热领域表现出广阔应用前景,成为当前的研究热点。近年来立方BAs单晶材料的制备取得突破性进展,采用化学气相传输法(CVT)合成了毫米尺寸的高质量单晶,室温下热导率高达1300 W·m-1·K-1。本文介绍了BAs单晶的性质和生长方法,综述了材料研究进展,阐述了晶体生长面临的技术挑战,并对发展前景进行了展望。

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