氧化铟纳米材料在气体传感器中的应用研究进展

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2021-11-22

编号:CYYJ02451

篇名:氧化铟纳米材料在气体传感器中的应用研究进展

作者: 盛玲 梁士明 王常春 孔宪章 罗兴碧

关键词: 氧化铟 气体传感器 气敏性能 研究现状 发展前景

机构: 临沂大学材料科学与工程学院

摘要: 氧化铟是一种重要的n型半导体,其直接带隙为3.55~3.75 eV,具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性。氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能,因此被广泛应用于半导体气体传感器中。本文总结了氧化铟对二氧化氮、丙酮、乙醇和氯气等典型气体的气敏性能的研究现状,并指出了其今后的研究方向。

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