编号：CYYJ02453

篇名：超宽禁带半导体氧化镓材料的产业进展及未来展望

作者： 李龙 宫学源 李培刚

关键词： 初创企业 宽禁带半导体 功率半导体 京都大学 富士电机 科研机构 氧化镓 三菱电机

机构： 北京镓创科技有限公司 埃米空间新材料孵化器 北京邮电大学

摘要： 1前言从2020年开始,日本经济产业省(METI)大力支持“氧化镓(Ga2O3)”半导体材料发展,计划2025年前为私营企业和大学提供共约1亿美元财政资金,意图占领下一代功率半导体产业发展的制高点。以Novel Crystal Technology和Flosfia为代表的初创企业,正在联合田村制作所、三菱电机、日本电装和富士电机等科技巨头,以及东京农工大学、京都大学和日本国家信息与通信研究院等科研机构,推动Ga2O3单晶及衬底材料以及下游功率器件的产业化,日本政产学研投各界已开始全面布局超宽禁带半导体--氧化镓材料。