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2011-05-09
编号：CYYJ00497
篇名：纳米硅薄膜的新颖性能及其应用前景
作者： 刘宏; 何宇亮; 王岳云; 殷晨钟;
关键词： 压力传感器; 应用前景; 太阳电池; 量子点; 单晶硅; 硅薄膜晶体管; 非晶硅; 纳米硅薄膜材料;
机构： 苏州科技学院数理学院; 上海纳米半导体科技有限公司; 常州银河电器有限公司; 无锡固特集团公司;
原文： 引言纳米硅(nc-Si:H)薄膜是一种由大量硅细微晶粒(仅几个纳米nm大小)和包围着这些晶粒的晶间界面所组成的新型纳米电子材料。纳米硅薄膜(几个微米厚)中的晶粒是晶态的,晶粒大小为3～8 nm,占整个膜层的体积百分比的50%,另外50%体积百分比则是由非晶态的硅原子构成的晶间界面区,其厚度为2～4个原子层。硅晶粒在薄膜中的分布是不规则的。这种新颖的结构使得纳米硅与现有的半导体材料单晶硅(C—Si)和
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