编号：CYYJ02835

篇名：p型TOPCon技术及其在高效晶体硅太阳电池应用的研究进展

作者： 曾俞衡 林娜 刘伟 闫宝杰 夏庆锋 叶继春

关键词： 光伏发电 晶体硅太阳电池 p型隧穿氧化硅钝化接触 掺硼多晶硅 钝化性能

机构： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

摘要： 隧穿氧化硅钝化接触(TOPCon)晶体硅太阳电池被广泛认可为下一代高效太阳电池技术,n型TOPCon技术已成为当前新上生产线的主流方案。p型TOPCon技术虽然更加适合p型晶体硅太阳电池产业生态,却因其关键钝化接触性能提升困难、已有技术方案不适合量产等因素而发展缓慢。基于p型TOPCon技术的重要性,详细介绍了p型TOPCon技术的研究进展,并探讨了制约该技术钝化性能提升的关键科学问题。从国内外的研究结果来看,分别基于LPCVD技术及PECVD技术的p型TOPCon技术在钝化性能上均取得了进步,获得最高隐含开路电压(对应的最低单面饱和电流密度)分别达到737 mV(2 fA/cm2)和732 mV(约5 fA/cm2)的p型TOPCon结构,已初步显示出产业应用潜力。开发具有产业应用价值的p型TOPCon技术对晶体硅太阳电池产业的发展具有重要意义,值得全行业进一步深入研究。