三(五氟苯基)硼烷掺杂有机/高分子半导体的研究进展

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2024-08-08

编号:CYYJ02878

篇名:三(五氟苯基)硼烷掺杂有机/高分子半导体的研究进展

作者: 冀程亮 吴俊凯 谢海滢 赵苏杭 赵志国 马兰超

关键词: 三(五氟苯基)硼烷 掺杂 有机/高分子半导体 掺杂机理 功能器件

机构: 北京石油化工学院 中国华能集团清洁能源研究院

摘要: 有机/高分子共轭聚合物的结构设计是制备高性能有机半导体的有效策略,但该过程存在着设计合成周期长、制备步骤复杂和产率偏低等问题。为了克服这些问题,近年来人们越来越关注对有机/高分子半导体的掺杂。然而,传统电荷转移掺杂剂(如卤族单质I2、金属氧化物Fe3O4、小分子F4TCNQ等)存在掺杂效率低、溶解度差和掺杂条件苛刻等问题。相比之下,三(五氟苯基)硼烷具有溶解度高、掺杂效率高、广泛适应性等优点。本文结合相关文献综述了三(五氟苯基)硼烷掺杂有机半导体的物理机制,并探讨了掺杂有机半导体的性质;此外,还总结了三(五氟苯基)硼烷掺杂在不同光电功能器件中的应用并明确了今后的研究方向。

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