编号：CYYJ03155

篇名：一维SiC粉体合成方法研究进展

作者： 种小川；乔佳其；肖国庆；丁冬海

关键词： 一维碳化硅; 生长机制; 合成方法; 形貌特征;

机构： 西安建筑科技大学材料科学与工程学院

摘要： 一维陶瓷相可通过“拔出”、“裂纹桥接”和“裂纹偏转”等增强机制实现对陶瓷材料强韧化的目的。碳化硅具有高硬度、高热导率、优异的化学稳定性和高电导率，特别是一维形貌的碳化硅作为增强相在陶瓷材料、复合材料和耐火材料等领域广泛应用，但一维形貌的碳化硅制备工艺复杂、成本高，特别是高比表面积及易团聚严重限制了其应用及强韧化效果。因此，制备高纯、易分散与高长径比的一维碳化硅更有意义。生长机制及制备工艺对一维碳化硅的形貌特征影响显著，分析一维碳化硅生长机制为其形貌特征的调控提供理论依据，进一步通过制备方法的优化可提高碳化硅粉体纯度，改善形貌单一、易团聚等问题。本文对一维碳化硅合成相关研究进行综述，分析了不同制备方法中一维碳化硅的生长条件、热力–动力学基础、工艺特征及生长机制，对比了碳热还原法、静电纺丝法、自蔓延高温合成法、熔盐法等制备产物的形貌特征，最后对高性能一维碳化硅合成进行了展望。