ATO粉体的制备工艺及其导电性能的研究

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2012-07-05

编号:CYYJ00626

篇名:ATO粉体的制备工艺及其导电性能的研究

作者: 尹大鹏; 朱协彬; 汪海涛;

关键词: 粉体; ATO; 化学共沉淀法; 电导率;

机构: 安徽工程大学安徽省高性能有色金属材料重点实验室;

摘要: 以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用化学共沉淀法制备纳米ATO粉体,考察了pH值、氨水体积比、锑的掺杂量、煅烧温度及煅烧时间对粉体导电性能的影响.运用DDS-12A型数显电导率仪测试了ATO粉体的电导率,运用了X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试方法对粉体的晶型、粒径及形貌进行了表征.研究结果表明,氨水体积比为1:3,pH值为8,煅烧温度600℃,煅烧时间4h时所制备的纳米ATO粉体电导率值最大,即导电性能最佳.

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