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2025-12-04
编号：CYYJ03066
篇名：六方氮化硼材料制备进展
作者： 王姝萱；杨蕾；贺刚；徐永宽；胡章贵
关键词： h-BN; 制备方法; 综述; 粉体合成; 陶瓷烧结; 单晶生长;
机构： 天津理工大学功能晶体研究院,晶体材料国家重点实验室,天津市功能晶体材料重点实验室
摘要： 六方氮化硼(h-BN)因具备超高热导率、良好电绝缘性、独特光电性能、出色热稳定性及化学惰性，在电子、新能源、航空航天、机械和化工等领域展现出广阔的应用前景。六方氮化硼材料的性能突破与工程应用，取决于其制备技术的持续创新。文中综述了近年来h-BN材料制备技术的最新进展，具体介绍h-BN粉体合成、陶瓷烧结以及单晶生长技术，重点阐述其合成原理、方法及其优缺点。最后，分析了h-BN材料当前制备技术研究面临的挑战与机遇，并对其发展前景进行了展望。
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