学粉体 _ 产业研究

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产业研究

研究

锰氧化物负极材料形貌调控与性能提升研究进展

锰氧化物是一类典型的高容量金属氧化物负极材料,在锂离子电池领域受到较为广泛的关注。形貌调控是影响锰氧化物电化学性能的重要因素,近年来研究人员围绕锰氧化物开展了大量研究工作。基于此,综述了不同纳米形貌的锰氧化物MnO、Mn3O4、Mn2O3和MnO2作为锂离子电池负极的储锂特性,重点讨论了纳米片、纳米微球、纳米线形貌的锰氧化物结构调控对其充放电性能的影响,可为锰氧化物在锂离子电池负极材料中的应用提供参考。...

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2022-08-19

研究

轨道交通制动盘用颗粒增强铝基复合材料研究及进展

轨道交通装备轻量化是节能降耗、降低成本的有效手段。制动盘轻量化可减轻簧下重量,从而降低车辆运行阻力、减轻轨道压力,对降低运行及维护成本有重要意义。颗粒增强铝基复合材料具有低密度、高比强度、高比刚度等优点,因而成为轻量化轨道交通制动盘的关键材料之一。文章介绍颗粒增强铝基复合材料制备方法与增强颗粒对材料综合力学性能的影响;展望该类材料未来研究方向,以期为颗粒增强铝基复合材料轨道交通制动盘开发提供参考。...

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2022-08-16

研究

铝基复合电子封装材料研究进展及应用

随着微电子器件的精细化与集成化,轻质化、小型化、更高的热导率、与芯片半导体材料(Si、GaAs)相匹配的热膨胀系数成为电子封装材料的发展方向。铝基复合材料将金属的高导热性与陶瓷的低热膨胀性相结合,能满足多种功能特性及设计要求,具有高导热、低膨胀、高刚度、低密度、低成本、制备工艺灵活、基体合金多样化等综合优异性能,是当今电子封装领域的研究热点。本文介绍了以铝为基体的复合电子封装材料的特点,增强体包括碳纤维、Si、SiC、金刚石等,同时介绍了相应的制备方法及应用。...

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2022-08-16

研究

铜/铝复合材料研究与应用进展

铜/铝复合材料是一种新型层状金属复合板材料,是近年金属材料研究领域中的热点,但由于复合技术和界面相等问题,铜/铝复合材料的制备工艺、界面组织控制、金属间化合物种类及相演变等关键因素决定着复合材料的最终使用性能。本文概述了铜/铝复合材料的制备工艺,研究方法,对金属间化合物种类、界面相的生长行为、相的演变进行了综合分析,并对发展方向和应用前景进行了展望。...

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2022-08-15

研究

三乙膦酸铝分析方法研究进展

三乙膦酸铝是一种有机磷内吸性杀菌剂,在蔬菜和水果中有广泛应用,但目前我国还没有明确推荐的检测标准方法,所以研究三乙膦酸铝的检测对于原药生产和食品安全具有重要的现实意义。综述了三乙膦酸铝原药和制剂、三乙膦酸铝残留以及三乙膦酸铝中杂质的分析研究进展,为研究三乙膦酸铝的质量分析提供参考。...

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2022-08-12

研究

航空航天用铝锂合金研究进展及发展趋势

航空航天用Al-Li合金因具有突出的低密度、优异的综合性能和广阔的应用前景,已逐步成为与2×××、7×××系合金并列的新一代高性能铝合金。概述了近百年来国内外铝锂合金的研发历史和工业应用情况,分析了第一代至第三代铝锂合金的研发和性能改进思路,同时也总结了我国铝锂合金产业化大规模应用需要进一步克服的技术难点。最后针对未来我国铝锂合金产业的发展方向提出了见解。...

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2022-08-10

研究

煤矸石制备气凝胶研究进展

煤矸石是煤炭开采加工过程产生的废弃物,其体量大、污染高和处理难,煤矸石含有大量的硅铝成分,是一种很宝贵的硅铝资源。气凝胶是一种结构可控的多孔轻质材料,它是目前已知体积密度最小的固体物质,可应用于保温隔热、催化和航天等多种领域。如何利用廉价的原材料制备高性能气凝胶从而降低生产成本,实现高值化利用是发展气凝胶材料的关键技术之一。阐述了煤矸石在煅烧活化和碱熔活化两种活化方式下硅铝的溶出效果,以及水洗和溶剂置换、离子液体萃取、阳离子交换树脂等对活化浸出溶液的几种除杂手段,并对比了一步溶出法和两步溶出法制备SiO2气凝胶和SiO2-Al2O3气凝胶的工艺方案以及最终产品性能,旨在为煤矸石的高值化利用及气凝胶的低成本制备提供参考。...

1543

2022-08-05

研究

氮化镓半导体材料的应用与研究趋势

半导体材料是电子器件的重要组成部分,以氮化镓为主的半导体材料在微电子器件、光电子器件的制造中占据重要地位。氮化镓半导体材料具有高热导率、稳定的化学性质以及较强的抗辐照能力等应用优势,能够满足当前部分电子器件应用设计的要求。本文以氮化镓半导体材料为主要研究对象,对氮化镓半导体材料的应用与研究趋势进行研究。...

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2022-08-01

研究

氮化碳在场发射冷阴极材料中的研究进展

氮化碳具有优良的热稳定性、高热导率、较大的禁带宽度和负的电子亲和势等优点,是一种极具潜力的场发射阴极材料。本文在介绍氮化碳的结构、性能以及作为场发射材料的研究现状的基础上,着重评述了氮化碳薄膜和粉体的制备方法;从优化结构中的sp2簇的数量及尺寸、调控表面形貌、元素掺杂,以及通过与其他场发射材料复合或表面修饰形成多级发射结构等方面,阐述了优化氮化碳场发射性能的方法。最后总结了氮化碳薄膜和粉体分别作为场发射阴极材料仍然存在的问题,并以此指出将来开展相关研究的重点在于继续优化其场发射性能,以及探索其内部结构、缺陷等对场发射性能的影响。...

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2022-07-28

研究

立方氮化硼的研究进展

立方氮化硼(c-BN)作为闪锌矿面心立方结构的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,是第三代半导体中禁带宽度最大的材料,还具有高热导率、高硬度、耐高温、耐氧化、化学稳定性好、透光波长范围广、可实现p型或n型掺杂等一系列性能优点,不仅作为超硬磨料在各行业的加工领域有广泛的应用,而且作为极端电子学材料在大功率半导体和光电子器件等领域也具有潜在的应用价值,使其适用于高温、高功率、高压、高频以及强辐射等极端环境。本文综述了历年来国内外制备c-BN晶体和外延生长c-BN薄膜的发展历程,重点关注了生长技术进步和晶体质量提高的代表性成果,并对c-BN的机械性能、光学性能以及电学性能方面的研究进展进行阐述,最后对全文内容进行总结并对c-BN应用所面临的挑战进行展望。...

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2022-07-25

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